Caracteristicas clave
- Alta ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% en operación RF
- Operación estable hasta 520 MHz
- Excelente estabilidad térmica integrada
- Soporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
- Encapsulado SMD para montaje superficial
Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.
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