Especificaciones

MarcaMITSUBISHI
ModeloRD60-HUF1-101
Garantia1 años
CategoriaN/D

Transistor MOSFET de Potencia / 850V / 110A / 150W / TO-247 / 2,788 pies

Este transistor MOSFET de potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en entornos industriales y de telecomunicaciones. Con una capacidad de operación a 850V y 110A de corriente continua, ofrece un rendimiento excepcional en sistemas que demandan control preciso de energía. Su encapsulado TO-247 garantiza una disipación térmica superior, permitiendo una operación sostenida incluso bajo cargas elevadas de 150W. La tecnología de semiconductores avanzada de Mitsubishi asegura confiabilidad y durabilidad en aplicaciones críticas de conversión de energía.

$1583.30 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.
Modelo: RD60-HUF1-101CategoriaMITSUBISHI

Disponibilidad

8 disponibles

La disponibilidad puede cambiar. Validamos el inventario al finalizar la compra.

Caracteristicas clave

  • Conmutación de alta eficiencia energética
  • Encapsulado TO-247 para disipación térmica óptima
  • Tecnología avanzada de semiconductores de potencia
  • Operación estable en sistemas de alta tensión
  • Diseño robusto para aplicaciones industriales exigentes
  • Compatibilidad con sistemas de conmutación modernos

Descripcion detallada

Características Principales

  • Transistor FET de alta potencia para conmutación eficiente
  • Voltaje máximo de operación de 850V
  • Corriente continua de 110A
  • Disipación de potencia de 150W
  • Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
  • Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia

Especificaciones Técnicas

  • Transistor FET de Potencia
  • Sistemas de conmutación de alta eficiencia