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Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

Especificaciones

MarcaTPL COMMUNICATIONS
ModeloB2-160
Garantia3 años
CategoriaRadiocomunicación
CategoriasRadiocomunicación / Refacciones / Misceláneo

Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.

$4299.40 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.
Modelo: B2-160RadiocomunicaciónTPL COMMUNICATIONS
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Disponibilidad

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Caracteristicas clave

  • Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
  • Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
  • Impedancia optimizada: entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
  • Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
  • Voltajes de ruptura elevados: VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
  • Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF

Descripcion detallada

Características Generales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 W
  • Voltaje de colector de 12.5 Vcc
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética
  • Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF

Especificaciones RF

  • Frecuencia: 175 MHz
  • Potencia de salida: 100 W
  • Relación de ganancia: 6.0 dB
  • Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
  • Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω

Especificaciones Eléctricas

  • Voltaje colector-base (V CBO ): 36 V
  • Voltaje colector-emisor (V CEO ): 18 V
  • Voltaje emisor-base (V EBO ): 4.0 V
  • Corriente de colector (I C ): 20 A
  • Disipación de potencia: 270 W

Especificaciones Térmicas

  • Resistencia térmica (junto-case, R θJC ): 0.65 °C/W
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C

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