Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB

Especificaciones

MarcaSYSCOM

ModeloIRF9Z30

Garantia3 años

CategoriaRadiocomunicación

CategoriasRadiocomunicación / Refacciones / Misceláneo

Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB

Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.

$83.35 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.

Modelo: IRF9Z30RadiocomunicaciónSYSCOM

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Disponibilidad

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Caracteristicas clave

Montaje through-hole en PCB estándar
Rango operativo -55°C a 150°C de unión
Carga de compuerta 39 nC para conmutación eficiente
Capacitancia de entrada 900 pF controlada
Voltaje de compuerta ±20 V para protección robusta
Encapsulado TO-220AB con disipación térmica optimizada

Recursos

IRF9Z30 SIHF9Z30

Descripcion detallada

Características principales

MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
Voltaje drenaje-fuente (V DSS ): 50 V
Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
Resistencia R DS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
Disipación de potencia máxima: 74 W
Capacitancia de entrada (C iss ): 900 pF @ 25 V
Carga de compuerta (Q g ): 39 nC @ 10 V
Voltaje umbral V GS(th) : 4 V máx. @ 250 µA
Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB

Especificaciones técnicas

10 V (máx. R DS on , mín. R DS on )