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Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación

Especificaciones

MarcaSYSCOM
ModeloMRF644
Garantia3 años
CategoriaRadiocomunicación
CategoriasRadiocomunicación / Refacciones / KENWOOD / ICOM / TXPRO

Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación

Transistor NPN de Potencia RF para Aplicaciones de 470 MHz Este transistor NPN de potencia RF está diseñado para operar eficientemente en la banda de 470 MHz, ofreciendo una ganancia de 6.2 dB y una potencia de salida de 25 watt. Fabricado con tecnología de silicio avanzada, proporciona impedancia controlada tanto en entrada como en salida, facilitando el diseño de etapas amplificadoras sin necesidad de redes de adaptación complejas. Su arquitectura térmica optimizada permite manejar elevadas densidades de potencia en aplicaciones de transmisión de RF, broadcast y telecomunicaciones profesionales.

$720.99 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.
Modelo: MRF644RadiocomunicaciónSYSCOM
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Disponibilidad

4 disponibles

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Caracteristicas clave

  • Silicio avanzado para alta eficiencia térmica
  • Impedancia controlada entrada y salida
  • Disipación de 103 W a 25°C con derating
  • Resistencia térmica baja de 1.7°C/W
  • Rango operativo -65°C a +150°C
  • Ruptura colector-base de 36 VDC

Descripcion detallada

Transistor NPN de Potencia RF para Aplicaciones de 470 MHz

  • Este transistor NPN de potencia RF está diseñado para operar eficientemente en la banda de 470 MHz, ofreciendo una ganancia de 6.2 dB y una potencia de salida de 25 watt. Fabricado con tecnología de silicio avanzada, proporciona impedancia controlada tanto en entrada como en salida, facilitando el diseño de etapas amplificadoras sin necesidad de redes de adaptación complejas. Su arquitectura térmica optimizada permite manejar elevadas densidades de potencia en aplicaciones de transmisión de RF, broadcast y telecomunicaciones profesionales.
  • El dispositivo incorpora especificaciones eléctricas robustas que garantizan operación estable bajo condiciones de carga variables, con voltajes de ruptura conservadores que proporcionan margen de seguridad en diseños de alta fiabilidad para infraestructura crítica de comunicaciones.

Características Principales

  • Tecnología de silicio avanzada para máxima eficiencia
  • Impedancia de entrada y salida controlada
  • Alta ganancia de potencia: 6.2 dB a 470 MHz
  • Disipación térmica de 103 W con derating de 0.59 W/°C
  • Resistencia térmica juntura-carcaza de 1.7 °C/W
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C

Parámetros de RF

  • Frecuencia de operación 470 MHz
  • Ganancia de potencia 6.2 dB

Ratings Máximos

  • VCEO (Voltaje colector-emisor) 16 VDC
  • VCBO (Voltaje colector-base) 36 VDC
  • VEBO (Voltaje emisor-base) 4.0 VDC
  • Corriente de colector (IC) 4.0 ADC
  • Disipación total (TC=25°C) 103 W

Características Térmicas

  • Resistencia térmica (RθJC) 1.7 °C/W
  • Derating sobre 25°C 0.59 W/°C
  • Rango temperatura almacenamiento -65 a +150 °C

Características Eléctricas (TC=25°C)

  • V(BR)CEO (IC=20 mADC, IB=0) 16 VDC
  • V(BR)CBO (IC=20 mADC, VBE=0) 36 VDC
  • V(BR)EBO (IE=5.0 mADC, IC=0) 4.0 VDC
  • Corriente fuga colector (VCE=15 VDC) ≤5.0 mADC

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