Transistor NPN de Alta Frecuencia / 30-500 MHz / 28 Vcc / 10 dB / 125 W / Push-Pull

Especificaciones

MarcaSYSCOM

ModeloMRF392

Garantia3 años

CategoriaRadiocomunicación

CategoriasRadiocomunicación / Refacciones / KENWOOD / ICOM / TXPRO

Transistor NPN de Alta Frecuencia / 30-500 MHz / 28 Vcc / 10 dB / 125 W / Push-Pull

Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 30 a 500 MHz. Integra dos transistores en configuración push-pull con emisores comunes, optimizando el rendimiento en sistemas de amplificación de RF. Ofrece una potencia de salida de 125 W a 400 MHz con ganancia de 10 dB y eficiencia del 55%, incluyendo redes de adaptación de impedancia integradas que simplifican el diseño de circuitos.

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Modelo: MRF392RadiocomunicaciónSYSCOM

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Disponibilidad

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Caracteristicas clave

Doble transistor en encapsulado push-pull integrado
Redes de adaptación de impedancia incorporadas
Metabolización de oro para mayor confiabilidad
Operación estable con VSWR 30:1 sin degradación
Eficiencia del 50-55% en amplificación de RF
Rango térmico extendido de -65°C a +150°C

Recursos

Descripcion detallada

Características Principales

Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
Rango operativo: 30-500 MHz
Tensión colector-emisor: 28 Vcc
Ganancia: 10 dB con eficiencia del 55%
Potencia de salida: 125 W a 400 MHz
Doble transistor en encapsulado push-pull
Configuración de emisores comunes
Redes de adaptación de impedancia integradas
Metabolización de oro
VSWR 30:1 sin degradación

Características Eléctricas

HFE: 40-100 (a IC = 1.0 A DC)

Características de Operación

VSWR: 30:1 sin degradación

Configuración

Dos transistores en un solo encapsulado
Redes de adaptación de impedancia integradas