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Especificaciones

MarcaSYSCOM
ModeloMMBR951
Garantia3 años
CategoriaN/D

Transistor NPN / SMD SOT-23 / 100 MHz / 30V Vceo / 100mA Ic / -55°C a +150°C

Transistor NPN de montaje superficial diseñado para aplicaciones que demandan bajo ruido y alta fidelidad en etapas de preamplificación. Su encapsulado SOT-23 ofrece una solución compacta para circuitos integrados modernos donde el espacio es crítico. La combinación de alta ganancia de corriente, baja distorsión y frecuencia de transición de 100 MHz lo hace versátil para señales de audio, RF y comunicaciones. Opera de manera confiable en un amplio rango térmico que abarca desde ambientes extremadamente fríos hasta condiciones de alta temperatura industrial.

$709.07 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.
Modelo: MMBR951CategoriaSYSCOM
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Disponibilidad

6 disponibles

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Caracteristicas clave

  • Bajo ruido para preamplificación de alta fidelidad
  • Encapsulado SOT-23 compacto para montaje superficial
  • Alta ganancia de corriente 300-800 para amplificación eficiente
  • Frecuencia de transición 100 MHz para señales de RF
  • Baja distorsión para audio y comunicaciones
  • Rango térmico extendido -55°C a +150°C

Descripcion detallada

Características Principales

  • Transistor NPN de bajo ruido para preamplificación de alta fidelidad
  • Encapsulado SMD SOT-23 compacto para montaje superficial automatizado
  • Baja distorsión optimizada para etapas de audio y comunicaciones
  • Alta ganancia de corriente (hFE) de 300 a 800 para amplificación eficiente
  • Frecuencia de transición de 100 MHz para aplicaciones de RF
  • Rango de temperatura de operación: -55°C a +150°C

Especificaciones Eléctricas

  • Tensión Colector-Emisor (VCEO)
  • Tensión Base-Emisor (VBEO)
  • Corriente de Colector (IC)
  • Potencia de Disipación (PD)
  • Frecuencia de Transición (fT)
  • Ganancia de Corriente (hFE)

Especificaciones Físicas y Térmicas

  • Resistencia Térmica (Junction-Ambient)
  • Temperatura de Operación y Almacenamiento

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