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Especificaciones

MarcaSYSCOM
Modelo2N5883
Garantia3 años
CategoriaN/D

Transistor de Silicio PNP, 60 V, 25 A. 200 Watt, TO-3.

Características Generales Transistor NPN de uso general Encapsulado TO-92 Corriente máxima de colector: 150 mA Tensión colector-emisor máxima: 30 V Ganancia de corriente (hFE): 110 a 800 Frecuencia de transición: 100 MHz

$205.13 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.
Modelo: 2N5883CategoriaSYSCOM
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Disponibilidad

Agotado

La disponibilidad puede cambiar. Validamos el inventario al finalizar la compra.

Caracteristicas clave

  • Transistor NPN de alta frecuencia
  • Frecuencia máxima de operación 500 MHz
  • Ganancia de corriente hasta 100
  • Disipación de potencia 300 mW
  • Paquete TO-92 para fácil montaje
  • Ideal para amplificadores RF y osciladores

Descripcion detallada

Características Generales

  • Transistor NPN de uso general
  • Encapsulado TO-92
  • Corriente máxima de colector: 150 mA
  • Tensión colector-emisor máxima: 30 V
  • Ganancia de corriente (hFE): 110 a 800
  • Frecuencia de transición: 100 MHz
  • Configuración: NPN
  • Encapsulado: TO-92
  • Corriente máxima de colector (Ic): 150 mA
  • Tensión colector-emisor (Vceo): 30 V
  • Ganancia de corriente (hFE): 110-800
  • Frecuencia de transición (fT): 100 MHz

Información Adicional

  • Temperatura de operación: -55°C a +150°C
  • Almacenamiento: -55°C a +150°C
  • Humedad relativa: 50% a 80% sin condensación

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